<p>Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle die einen mittels einer ersten Dotierung in der gesamten Substratoberfläche eines Halbleitersubstrats, insbesondere einschließlich Kanten, erzeugten Emitterbereich und einen durch über-kompensierende zweite Dotierung erzeugten Basis-Kontaktbereich sowie einen die Tiefe des Emitterbereiches durchdringenden Trenngraben zur elektrischen Trennung des Emitterbereiches von dem Basis-Kontaktbereich aufweist, wobei zur Bildung des Trenngrabens eine Maskenschicht mittels eines lasergestützten lokalen Abtragens zur Vorzeichnung des Trenngrabens strukturiert und mit der strukturierten Maske der Trenngraben in die Emitterbereichs-Oberfläche eingeätzt wird.</p>
申请公布号
WO2012095222(A1)
申请公布日期
2012.07.19
申请号
WO2011EP71898
申请日期
2011.12.06
申请人
ROBERT BOSCH GMBH;WUETHERICH, TOBIAS;JESSWEIN, REIK;MEYER, KARSTEN