发明名称 | 基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是:先对SiC样片进行标准清洗;将清洗后的SiC样片置于石英管中,利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管,在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应,生成双层碳膜;然后再将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上,再将它们一同置于Ar气中,在温度为900-1100℃下退火15-25min生成双层石墨烯;最后将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。本发明具有工艺简单,安全性高,双层石墨烯表面光滑,连续性好,孔隙率低的优点,可用于对气体和液体的密封。 | ||
申请公布号 | CN102583330A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
申请号 | CN201210009958.8 | 申请日期 | 2012.01.03 |
申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民 |
分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
主权项 | 一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法,包括以下步骤:(1)对SiC样片进行清洗,以去除表面污染物;(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中,加热至800‑1000℃;(3)对装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60‑80℃,利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与SiC反应30‑120min,生成双层碳膜;(4)将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上,再将它们一同置于Ar气中在温度为900‑1100℃下退火15‑25分钟,使双层碳膜重构成双层石墨烯,再将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。 | ||
地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 |