发明名称 |
半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供能够抑制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括:将催化线加热至规定的温度以上的工序;和在催化线被加热至规定的温度以上之后,导入半导体的材料气体,并且利用加热的催化线分解材料气体,形成半导体膜的工序。 |
申请公布号 |
CN101295639B |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN200810091254.3 |
申请日期 |
2008.04.23 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
寺川朗;浅海利夫 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种半导体膜的制造方法,其特征在于,包括:导入调压气体调整为半导体膜的形成时的压力的工序;在利用所述调压气体进行了调压之后,将催化线加热至规定的温度以上的工序;在所述催化线被加热至所述规定的温度以上之后,通过将所述调压气体与半导体的材料气体进行置换导入所述材料气体,并且利用加热的所述催化线分解所述材料气体,形成所述半导体膜的工序;在形成所述半导体膜之后,对所述材料气体进行排气的工序;和在所述材料气体已被排出之后,停止对被加热至所述规定的温度以上的催化线的加热的工序,所述调压气体不含所述材料气体。 |
地址 |
日本大阪府 |