| 发明名称 | 一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102583275A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210068017.1 | 申请日期 | 2012.03.15 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 胡晓琳;王幸;何小武;陈建中;庄乃锋;赵斌;郭飞云 |
| 分类号 | C01B21/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B21/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种醇热法制备的GaN纳米晶，其特征在于：所述的GaN纳米晶是由醇热法分解前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3制备得到的。 | ||
| 地址 | 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 | ||