发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种半导体装置,消除由于最终的半导体装置中的内部应力集中造成的可靠性不良,并实现更高密度、薄型、低成本。半导体装置具有:半导体元件;支撑基板,被配置在半导体元件的设置有焊盘的面的相反面上,并且该支撑基板的面积大于半导体元件的面积;埋设绝缘层,用于将半导体元件埋设在支撑基板上;扇出布线,从焊盘被引出到埋设绝缘层上且半导体元件的外周侧的区域;和布线厚度加强部,被配置在半导体元件的外周部的上方的预定区域,并且加强埋设绝缘层和扇出布线的机械强度(图)。
申请公布号 CN101836289B 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN200880112660.1 申请日期 2008.10.22
申请人 日本电气株式会社 发明人 山道新太郎;森健太郎;村井秀哉
分类号 H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 孙志湧;李亚
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件;支撑基板,被配置在所述半导体元件的设置有焊盘的面的相反面上,并且该支撑基板的面积大于所述半导体元件的面积;埋设绝缘层,用于将所述半导体元件埋设在所述支撑基板上;扇出布线,被从所述焊盘引出到所述埋设绝缘层上且所述半导体元件的外周侧的区域;和加强部,被配置在所述半导体元件的外周部的上方的预定区域,并且加强所述埋设绝缘层和所述扇出布线的机械强度。
地址 日本东京