半导体器件及其制造方法

摘要

本发明披露了一种非易失性存储半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括形成于半导体衬底上方的PN结二极管。可以在PN结二极管上方形成绝缘膜且图样化该绝缘膜以具有通道孔。包括第一金属图样的电阻式随机存取存储器可以与PN结二极管的第一区接触。可以在第一金属图样上方形成氧化膜图样且在氧化膜图样上方形成第二金属图样。可以在通道孔中形成第一金属图样、氧化膜图样和第二金属图样。

主权项

一种装置，包括：PN结二极管，形成于半导体衬底上方；第一绝缘膜，具有第一通道孔；第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜上方并且具有第二通道孔；以及第三绝缘膜，形成于所述第二绝缘膜上方并且具有第三通道孔；电阻式随机存取存储器，包括形成在所述第一通道孔中、且与所述PN结二极管的第一区接触的第一金属图样，形成于所述第一金属图样上方的所述第二通道孔中的氧化膜图样和形成于所述氧化膜图样上方的所述第三通道孔中的第二金属图样。