| 发明名称 | SiC 单晶晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及能够生长晶片来源的缺陷得以抑制的优质外延膜的SiC单晶晶片，该SiC单晶晶片的表面变质层的厚度为50nm以下，SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。该SiC单晶晶片可由高纯度SiC块状单晶制作，该高纯度SiC块状单晶通过使用氧含量100ppm以下的原料和氧浓度100ppm以下的非氧化性气氛的熔液生长法获得。 | ||
| 申请公布号 | CN102597337A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201080048942.7 | 申请日期 | 2010.08.27 |
| 申请人 | 住友金属工业株式会社 | 发明人 | 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;小池淳一 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种SiC单晶晶片，其特征在于，该SiC单晶晶片在表面具有至少含有Si、C和O(氧)的非单晶结构的变质层，所述变质层的厚度为50nm以下，并且，SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||