发明名称 用于可缩放电源的高性能低压差分信号驱动器
摘要 一种装置具有提供在大约1.8V和大约3.3V之间的电压的第一电源导轨(VDD);第二电源导轨(VSS);和耦合在第一电源导轨与第二电源导轨之间并接收差分输入信号(INP,INM)的输入级(302)。该输入级包括至少一个差分输入对互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管(M5,M6)。第一输出级(304)耦合到输入级并且耦合到第一电源导轨与第二电源导轨中的至少一个。第一输出级包括多个接成二极管形式的晶体管(Q1,Q2)。第二输出级(306)耦合在第一电源导轨与第二电源之间,并耦合到第一输出级。第二输出级包括第一多个晶体管(Q3,Q4)。第三输出级(308)耦合在第一电源导轨与第二电源导轨之间,并耦合到第一输出级与第二输出级。第三输出级包括第二多个晶体管(Q5,Q6)和一对耦合到第二级与第三级中每个级的差分输出端(OUTP,OUTM)。该对差分输出端承载差分电流,当差分输入信号处于第一状态时,该差分电流沿第一方向流动并通过第二输出级提供差分电流,当差分输入信号处于第二状态时,该差分电流沿第二方向流动并通过第三输出级提供该差分电流。
申请公布号 CN102598510A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201080050127.4 申请日期 2010.11.03
申请人 德克萨斯仪器股份有限公司 发明人 B·G·巴克塔;M·W·摩根
分类号 H03K19/0175(2006.01)I;H04L25/02(2006.01)I 主分类号 H03K19/0175(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种装置,包括:输入级,其具有第一差分对CMOS晶体管和第二差分对CMOS晶体管,所述第一差分对CMOS晶体管接收差分输入信号,所述第二差分对CMOS晶体管耦合到所述第一差分对;第一输出级,其具有第一接成二极管形式的双极晶体管和第二接成二极管形式的双极晶体管,其中所述第一接成二极管形式的双极晶体管和第二接成二极管形式的双极晶体管中每一个均耦合到所述第二差分对CMOS晶体管中的一个CMOS晶体管;第二输出级,其具有第一组双极晶体管,其中所述第一组双极晶体管中的每一个双极晶体管在其基极耦合到所述第一接成二极管形式的双极晶体管,并且第一电流镜耦合到所述第一组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极;和第三输出级,其具有第二组双极晶体管,其中所述第一组双极晶体管中的每一个双极晶体管在其基极耦合到所述第一接成二极管形式的晶体管,其中来自所述第二组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极耦合到所述第一电流镜,并且其中第二电流镜耦合到所述第一组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极和所述第二组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极。
地址 美国德克萨斯州
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