一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法

摘要

本发明提供一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法，其步骤包括：1）在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅薄膜；2）通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅；3）沉积低k值介质层；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）重复步骤（1）至步骤（6），形成多层MOM电容器。本发明有效地提高层内电容器的电容，并能有效地改善MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性，非常适于实用。

主权项

一种多层金属‑氮化硅‑金属电容器的制作方法，其特征在于：其具有以下步骤：1）在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅薄膜；2）通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅；3）沉积低k值介质层；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）重复步骤（1）至步骤（6），形成多层MOM电容器。