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Siliziumdetektor zur Bilderzeugung eines Objekts mittels Röntgenstrahlen, wobei der Detektor auf mehreren Halbleiter-Detektormodulen (A) basiert, die gemeinsam eine Gesamt-Detektorfläche bilden, wobei jedes Halbleiter-Detektormodul einen Röntgensensor aus kristallinem Silizium aufweist, der mit seinem Rand zu den ankommenden Röntgenstrahlen ausgerichtet ist und an eine integrierte Schaltung zur Erfassung der Röntgenstrahlen angeschlossen ist, die im Röntgensensor durch den photoelektrischen Effekt und die Compton-Streuung und auf eine einfallende Röntgenenergie zwischen 40 keV und 250 keV interagieren, um die Raum- und Energieinformationen aus diesen Interaktionen bereitzustellen, um ein Bild des Objekts zu ermöglichen. Ferner sind Anti-Streuungs-Module (B) zumindest zwischen einer Teilmenge der Halbleiter-Detektormodule eingefügt, um zumindest teilweise die Röntgenstrahlen mit Compton-Streuung zu absorbieren.
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