| 摘要 |
Einige erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele betreffen einen Leseverstärker, der so konfiguriert ist, dass er die Steilheit einer Bitleitungs-Ladespannung bestimmt und die bestimmte Steilheit in Kombination mit einem Spannungspegel-Leseschema nutzt, um das Lesen von Daten aus einer der Bitleitung zugeordneten Speicherzelle zu unterstützen. Insbesondere ist eine Leseverstärkerschaltung so konfiguriert, dass sie eine Steilheit einer Bitleitungs-Ladespannung bestimmt und auf der Grundlage der bestimmten Steilheit die Steilheit der einem Leseverstärker bereitgestellten Bitleitungsspannung anpasst (zum Beispiel mittels Addierens eines dynamischen, steilheitsabhängigen Stroms zu einem Speicherzellenstrom, der so konfiguriert ist, dass er die Bitleitung lädt). Durch Anpassen der Steilheit der Bitleitungsspannung kann die Ladegeschwindigkeit von Speicherzellen, die sich in einem niederohmigen Zustand befinden (zum Beispiel mit einem hohen Zellenstrom und daher einem guten Signal/Rausch-Verhältnis) erhöht werden.
|
