发明名称 介电陶瓷及电容器
摘要 本发明之介电陶瓷系由以钛酸钡为主成分,且含有镁、稀土类元素及锰之结晶粒子所构成,而上述结晶粒子之结晶构造为立方晶,相对于钡1莫耳,以MgO换算含有镁0.033~0.085莫耳,以RE2O3换算含有稀土类元素(RE)0.1~0.2莫耳,以MnO换算含有锰0.006~0.018莫耳。藉此,本发明之介电陶瓷成为高介电系数且显示稳定之介电常数之温度特性,并且无自发极化的介电陶瓷。
申请公布号 TWI367871 申请公布日期 2012.07.11
申请号 TW096140521 申请日期 2007.10.26
申请人 京瓷股份有限公司 日本 发明人 东勇介;福田大辅
分类号 C04B35/46;H01B3/12;H01G4/12 主分类号 C04B35/46
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址 日本