| 发明名称 | 相变存储器的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；在所述层间介质层上方形成保护层；在所述保护层和层间介质层内形成露出所述底部电极的开口；利用等离子体刻蚀工艺，对所述开口的侧壁和底部进行清洁步骤；在开口内形成相变层；去除所述层间介质层表面的保护层。本发明提高了相变存储器的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102569647A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010601802.X | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 任万春;宋志棠 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；在所述层间介质层上方形成保护层；在所述保护层和层间介质层内形成露出所述底部电极的开口；利用等离子体刻蚀工艺，对所述开口的侧壁和底部进行清洁步骤；在开口内形成相变层；去除所述层间介质层表面的保护层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||