发明名称 |
一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法,其中方法包括如下步骤:将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部,再将多晶硅料、磷掺杂剂和镓放入坩埚中,升温熔融多晶硅料、磷掺杂剂、镓和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块,利用铸造法生长硅单晶体。本发明可以将90%左右高度的N型磷掺杂单晶硅铸锭的电阻率控制在1.0~2.0Ω.cm范围内,有效提高N型单晶硅在制备太阳能电池过程中的利用率,从而显著降低太阳能电池的制造成本,操作简单,易于在光伏产业推广应用。 |
申请公布号 |
CN102560646A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210073988.5 |
申请日期 |
2012.03.20 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
余学功;肖承全;杨德仁 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法,其特征在于:将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部,再将多晶硅料、磷掺杂剂和镓放入坩埚中,升温熔融多晶硅料、磷掺杂剂、镓和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块,利用铸造法生长硅单晶体。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |