利用隧穿二极管作为选择开关管的快速存储器结构

摘要

本发明公开了一种利用隧穿二极管作为选择开关管的快速存储器结构，该存储器单元由一个SONOS晶体管和一个隧穿二极管构成，采用共用隧穿二极管和SONOS晶体管的门栅形成快速存储器单元的选择开关管，该存储器单元左边的N+源漏注入区域为位线端，右边的P+源漏注入区域为源线端，右边的栅下浅P+齐纳二极管和N+源漏注入区域形成纵向的隧穿二级管，SONOS晶体管的门栅为字线端，SONOS晶体管为ONO多介质结构栅氧。本发明能减小现有存储单元的面积，节省制造成本。

主权项

一种利用隧穿二极管作为选择开关管的快速存储器结构，其特征在于，该存储器单元由一个SONOS晶体管和一个隧穿二极管构成，采用共用隧穿二极管和SONOS晶体管的门栅形成快速存储器单元的选择开关管，该存储器单元左边的N+源漏注入区域为位线端，右边的P+源漏注入区域为源线端，右边的栅下浅P+注入区和N+源漏注入区域形成纵向的隧穿二级管，SONOS晶体管的门栅为字线端，SONOS晶体管为ONO多介质结构栅氧。