发明名称 | 一种锗单质薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 一种锗单质薄膜的制备方法,涉及一种薄膜。导电基片预处理;配制Ge4+离子电解质溶液:将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液,调节pH值,加入支持电解质;使用三电极体系,控制反应电位为-900~-1500mV,沉积时间为100~10800s,进行电化学沉积反应,在导电基片上得到锗单质薄膜,结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足;具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点。 | ||
申请公布号 | CN102560573A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
申请号 | CN201210059186.9 | 申请日期 | 2012.03.08 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 孙志梅;萨百晟;王振兴;周健;潘元春 |
分类号 | C25D3/54(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/54(2006.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 一种锗单质薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)导电基片预处理;2)配制Ge4+离子电解质溶液:将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制含有浓度为0.1~20mmol/L的锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液,调节电解质溶液的pH值,在电解质溶液中加入支持电解质;3)恒电位电化学沉积:使用三电极体系,工作电极为导电玻璃,参比电极为饱和KCl电极,对电极为铂网,控制反应电位为‑900~‑1500mV,沉积时间为100~10800s,进行电化学沉积反应,在导电基片上得到锗单质薄膜。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |