发光二极管晶粒的制作方法

摘要

一种发光二极管晶粒的制作方法，通过在发光二极管晶粒底部形成一层二氧化硅图案层，在半导体发光结构生长完成之后，利用缓冲蚀刻液把二氧化硅图案层去除而遗留下贯穿性孔洞。所述贯穿性孔洞可提高半导体发光结构发出的朝向蓝宝石基板的光线经全反射向上出射的几率，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。

主权项

一种发光二极管晶粒的制作方法，其包括以下步骤：提供一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板上形成有二氧化硅图案层；在蓝宝石基板具有二氧化硅图案层的一面生长半导体发光结构；采用干蚀刻法在半导体发光结构上制作分割槽，将半导体发光结构分割为多个发光区域，所述分割槽延伸至蓝宝石基板，从而显露出二氧化硅图案层；采用缓冲蚀刻液将二氧化硅图案层去除，在原二氧化硅图案层的位置遗留下贯穿性孔洞；在所述多个发光区域上分别蚀刻电极平台，然后在多个发光区域的表面分别制作电极；沿分割槽将蓝宝石基板切割，形成多个发光二极管晶粒。