基于氮化物的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法。该基于氮化物的半导体器件包括：基板；设置在基板上并在其中产生2维电子气(2DEG)的外延生长层；以及设置在外延生长层上并具有延伸进外延生长层的延伸部的电极结构，其中，外延生长层包括从外延生长层的表面凹入其内的凹部，凹部包括：其中设置有延伸部的第一区域；以及作为除了第一区域之外的区域的第二区域。

主权项

一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；外延生长层，设置在所述基底上，并且其内产生有2维电子气(2DEG)；以及电极结构，设置在所述外延生长层上，并具有延伸进所述外延生长层的延伸部，其中，所述外延生长层包括凹部，所述凹部从所述外延生长层的表面凹入其内，并且所述凹部包括：第一区域，其中设置有所述延伸部；以及第二区域，所述第二区域是除了所述第一区域之外的区域。