| 发明名称 | 半导体晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体晶片的制造方法，包括：加热，使金属材料溶解到晶片中的半导体材料中，从而产生半导体-金属化合物；以及冷却，使所产生的半导体-金属化合物逆熔化，而形成金属半导体混合物。根据本发明的实施例，利于得到适用于半导体制造工艺的高纯度晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN102543671A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010591794.5 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体晶片的制造方法，包括：加热，使金属材料溶解到晶片中的半导体材料中，从而产生半导体‑金属化合物；以及冷却，使所产生的半导体‑金属化合物逆熔化，而形成金属半导体混合物。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||