| 发明名称 | PMOS元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种PMOS元件及其制造方法，该方法包含在一半导体基材上形成一高介电常数介电层；在该介电常数介电层上形成一盖层；在该盖层上形成一金属层；该金属层上形成一半导体层；在该半导体层上进行注入工艺，其使用包含氟的杂质；图案化该高介电常数介电层、该盖层、该金属层及该半导体层，以形成一栅极结构。本发明可增强同时拥有NMOS和PMOS的半导体元件的性能和可靠度，可轻易的和现有的CMOS技术工艺和半导体设备做整合，使用该含氟杂质掺杂物的注入工艺和进行活化的退火工艺对于现有的半导体工艺来说合适且容易。 | ||
| 申请公布号 | CN101728273B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910134815.8 | 申请日期 | 2009.04.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 洪正隆;侯永田;顾克强;黄建豪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种PMOS元件的制造方法，包含如下步骤：在一半导体基材上形成一高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成一盖层；在该盖层上形成一金属层；在该金属层上形成一半导体层；在该半导体层上进行一注入工艺，该注入工艺使用包含氟的杂质；及图案化该高介电常数介电层、该盖层、该金属层和该半导体层以形成一栅极结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||