| 发明名称 | 透明导电性薄膜和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单壁碳纳米管的透明导电性薄膜及其制造方法，其可以进一步提高导电性及光透射性且可以实现薄膜形成工序的简单化。其特征在于，含有以下工序：将混杂有金属性的单壁碳纳米管(m-SWNTs)和半导体性单壁碳纳米管(s-SWNTs)的单壁碳纳米管分散在含有沸点为20～400℃的胺作为分散剂的胺溶液的工序；通过将得到的分散液离心分离或过滤而将m-SWNTs浓缩，得到m-SWNTs含量高的分散液的工序；将得到的m-SWNTs含量高的分散液涂敷在基材上而形成薄膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101730917B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200880023797.X | 申请日期 | 2008.07.10 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 前田优;赤阪健 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 贾成功 |
| 主权项 | 一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，含有以下工序：将混杂有金属性的单壁碳纳米管(m‑SWNTs)和半导体性的单壁碳纳米管(s‑SWNTs)的单壁碳纳米管分散于含有沸点为20～400℃的胺作为分散剂的胺溶液中的工序；通过将得到的分散液离心分离或过滤而对m‑SWNTs浓缩，得到m‑SWNTs含量高的分散液的工序；将得到的m‑SWNTs含量高的分散液涂敷在基材上而形成薄膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||