引入了局部应力的LDMOS器件

摘要

本发明涉及LDMOS器件。本发明公开了一种利用应力提高器件性能，并降低其不良影响的引入了局部应力的LDMOS器件。本发明的技术方案是，引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别形成源区和漏区，在源区和漂移区之间的阱区表面生长栅氧化层，在栅氧化层上生长多晶硅栅极，在源区和/或栅极表面覆盖薄膜，利用所述薄膜具有的本征应力，在LDMOS器件的沟道中引入应力。本发明基本上不会影响器件漂移区的带隙EG，而对器件的源漏导通电阻Ron的降低却有比较明显的作用。本发明充分发挥了应力对器件性能的积极作用，降低了应力对器件性能的消极影响，特别适合制造功率器件。

主权项

引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别形成源区和漏区，在源区和漂移区之间的阱区表面生长栅氧化层，在栅氧化层上生长多晶硅栅极，其特征在于，在源区和/或栅极表面覆盖薄膜，利用所述薄膜具有的本征应力，在LDMOS器件的沟道中引入应力。