发明名称 |
具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法 |
摘要 |
制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法。该方法包括三个步骤。步骤1:通过在所述半导体衬底的主表面(2a)上选择性地喷墨磷酸或硼酸溶液的第一图案,而施加掺杂剂源。步骤2:加热衬底,以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中,由此形成直接位于第一图案下方的第一扩散区(4);以及步骤3:形成金属接触图案(10、11、12),其与所述第一扩散区基本上对齐。还提供了通过该方法制造的光伏电池。 |
申请公布号 |
CN102549776A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201080044058.6 |
申请日期 |
2010.07.30 |
申请人 |
OTB太阳能有限公司 |
发明人 |
沃特鲁斯·约翰内斯·玛丽亚·布罗克;埃梅伦蒂努什·玛丽亚·约瑟夫斯·安东尼努什·范戴克;弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯;沃特鲁斯·约翰内斯·保卢斯·卡罗吕斯·范威格特 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L21/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
李丙林;刘书芝 |
主权项 |
一种制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法,所述方法包括:‑步骤1:通过将磷酸或硼酸溶液的第一图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面(2a)上而施加掺杂剂源;‑步骤2:加热所述衬底,以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中,由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区(4);以及‑步骤3:形成与所述第一扩散区基本上对齐的金属接触图案(10、11、12)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |