发明名称 NAND FLASH的数据处理方法
摘要 本发明涉及半导体存储介质技术领域,提供了一种NAND FLASH数据处理方法的方法。该方法包括以下步骤:根据逻辑地址与物理地址映射表申请空块,以供用户数据更新操作;当用户数据更新操作被FAT表或FDT表中断时,保存空块的物理地址和操作环境;更新FAT表或FDT表,记录FAT表或FDT表的映射关系;调取用户数据更新操作中断时空块的物理地址和操作环境,继续数据更新操作。本发明在用户数据更新操作被中断时,记录当时空块的物理地址和操作环境,当文件系统的更新完成后,再通过调取空块的物理地址和操作环境,实现对用户数据的续写操作,减少了FLASH的磨损,提高了FLASH的数据拷贝速度。
申请公布号 CN101794254B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910109880.5 申请日期 2009.11.25
申请人 深圳市硅格半导体有限公司 发明人 罗胜;李发生;张彦伟;成晓华
分类号 G06F12/02(2006.01)I 主分类号 G06F12/02(2006.01)I
代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人 胡海国
主权项 一种NAND FLASH的数据处理方法,其特征在于,包括以下步骤:根据逻辑地址与物理地址映射表申请空块,进行用户数据更新操作;当用户数据更新操作被FAT表或FDT表更新中断时,保存空块的物理地址和操作环境;更新FAT表或FDT表,记录FAT表或FDT表的映射关系;调取用户数据更新操作中断时空块的物理地址和操作环境,继续用户数据更新操作;所述操作环境包括逻辑地址对应的块、循环变量、状态机状态。
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