发明名称 |
NAND FLASH的数据处理方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体存储介质技术领域,提供了一种NAND FLASH数据处理方法的方法。该方法包括以下步骤:根据逻辑地址与物理地址映射表申请空块,以供用户数据更新操作;当用户数据更新操作被FAT表或FDT表中断时,保存空块的物理地址和操作环境;更新FAT表或FDT表,记录FAT表或FDT表的映射关系;调取用户数据更新操作中断时空块的物理地址和操作环境,继续数据更新操作。本发明在用户数据更新操作被中断时,记录当时空块的物理地址和操作环境,当文件系统的更新完成后,再通过调取空块的物理地址和操作环境,实现对用户数据的续写操作,减少了FLASH的磨损,提高了FLASH的数据拷贝速度。 |
申请公布号 |
CN101794254B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN200910109880.5 |
申请日期 |
2009.11.25 |
申请人 |
深圳市硅格半导体有限公司 |
发明人 |
罗胜;李发生;张彦伟;成晓华 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 |
代理人 |
胡海国 |
主权项 |
一种NAND FLASH的数据处理方法,其特征在于,包括以下步骤:根据逻辑地址与物理地址映射表申请空块,进行用户数据更新操作;当用户数据更新操作被FAT表或FDT表更新中断时,保存空块的物理地址和操作环境;更新FAT表或FDT表,记录FAT表或FDT表的映射关系;调取用户数据更新操作中断时空块的物理地址和操作环境,继续用户数据更新操作;所述操作环境包括逻辑地址对应的块、循环变量、状态机状态。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新区南区科苑南路留学生创业大厦2208号 |