| 发明名称 | 一种制造半导体器件结构的方法和半导体器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件结构的方法，包括：a）提供前端器件层结构；b）在第一反应室内，在前端器件层结构的表面形成具有超低介电常数的层间介电层，其中，具有超低介电常数的层间介电层由包含甲基二乙氧基硅烷的反应气体形成；以及c）在第二反应室内，在具有超低介电常数的层间介电层的表面通过等离子体增强化学气相沉积法形成甲基二乙氧基硅烷掩膜层。本发明的方法简化了现有的工艺，有利于半导体器件结构的批量生产，并且，降低了半导体器件结构的制作时间，提高了半导体器件结构的生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102543844A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010615184.4 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;谢栒 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件结构的方法，其特征在于，包括：a）提供前端器件层结构；b）在第一反应室内，在所述前端器件层结构的表面形成具有超低介电常数的层间介电层，其中，所述具有超低介电常数的层间介电层由包含甲基二乙氧基硅烷的反应气体形成；以及c）在第二反应室内，在所述具有超低介电常数的层间介电层的表面通过等离子体增强化学气相沉积法形成甲基二乙氧基硅烷掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||