| 发明名称 | 一种多量子阱结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多量子阱结构及其制造方法,该多量子阱结构包括n个循环排列的模块结构，所述模块结构顺次包括一个第一势垒层、一个第一势阱层以及m个由第二势垒层和第二势阱层依次交叠而成的量子阱结构；所述第一势垒层的厚度是第二势垒层的1.5-2.5倍。本发明通过改进量子阱的结构设计，调配多量子阱内部结构，从而可以明显的增加光电器件的灵敏度，可以有效地调控工作电压和能量的利用效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102544278A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010600208.9 | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 上海蓝光科技有限公司 | 发明人 | 李淼;潘尧波;郝茂盛 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种多量子阱结构，其特征在于：包括n个循环排列的模块结构，所述模块结构顺次包括一个第一势垒层、一个第一势阱层以及m个由第二势垒层和第二势阱层依次交叠而成的量子阱结构；所述第一势垒层的厚度是第二势垒层的1.5‑2.5倍。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||