发明名称 半导体存储装置
摘要 本发明提供一种半导体存储装置,半导体存储装置可以包括:键合焊盘;控制信号焊盘;以及操作模式信号发生单元,所述操作模式信号发生单元被配置为响应于经由键合焊盘输入的键合信号和经由控制信号焊盘输入的控制信号来产生多个操作模式信号。
申请公布号 CN102543160A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201110289509.9 申请日期 2011.09.27
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 黄正太;李康悦
分类号 G11C11/4063(2006.01)I 主分类号 G11C11/4063(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;许伟群
主权项 一种半导体存储装置,包括:键合焊盘;控制信号焊盘;以及操作模式信号发生单元,所述操作模式信号发生单元被配置为响应于经由所述键合焊盘输入的键合信号和经由所述控制信号焊盘输入的控制信号来产生多个操作模式信号。
地址 韩国京畿道