发明名称 窑变抛釉砖及其生产方法
摘要 本发明公开了一种窑变抛釉砖的生产方法,依次包括以下步骤:(A)在砖胚上覆盖熔块粉,烧制,形成熔块层;(B)在所述已烧成的熔块层上覆盖釉层并烧制,烧制时熔块层与釉层发生窑变反应以获得自然渐变图案。依本发明的方法所生产出来的抛釉砖,熔块层表面在窑炉的高温下与装饰釉层的釉料发生发应,图案的形状及色彩的形成不但取决于印制上去的釉料,还受熔块层表面与釉料发生发应后的结果而影响。受反应的影响,不同色块之间的边界模糊,过渡自然,具有成熟、高贵、华丽的美感。因此所制作的陶瓷砖装饰效果好,可作规则的铺排,也可以根据大型地面/墙壁设计,而铺设出具有强烈视觉效果的主题场景。
申请公布号 CN101747020B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910174289.8 申请日期 2009.09.16
申请人 陈满坚 发明人 陈满坚;唐纳德·温·黑格比
分类号 C04B33/00(2006.01)I;C04B33/34(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I 主分类号 C04B33/00(2006.01)I
代理机构 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人 华辉;刘菁菁
主权项 1.一种抛釉砖的生产方法,其特征在于依次包括以下步骤:(A)在砖胚上覆盖熔块粉,烧制,形成熔块层;(B)在所述已烧成的熔块层上覆盖釉层并烧制,烧制时熔块层与釉层发生窑变反应以获得自然渐变图案;(C)对所述半成品表层进行抛光处理;其中所述步骤(A)是根据已制好的网板将调制好的熔块粉覆盖在砖面上形成图案,图案中的凹陷部分留空,然后进行第一次烧成,烧成温度为950~1050℃,烧成时间为60~90分钟,形成带有凹陷的熔块层,所述步骤(B)是根据已制好的网板在所述熔块层的表面印刷第一种釉料,对于凹陷的部位则留空,然后进行第二次烧成,烧成温度为950~1050℃,烧成时间为60~90分钟,形成釉料与熔块层反应后形成的窑变釉层;所述熔块粉为透明或不透明熔块粉,细度范围为80~200目,化学组成用釉式表示如下:<img file="FSB00000699802100011.GIF" wi="1686" he="606" />
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