发明名称 | 相变存储器 | ||
摘要 | 本发明揭示了一种相变存储器,所述相变存储器包括数条存储翼plane;所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO,每个block对应一个FIFO;其中,n为相变存储器并行读写位数;plane与plane之间依靠数据总线、地址总线和控制总线连接;所述block包括存储阵列、行列译码器及驱动电路。本发明提出的相变存储器,可提高相变存储器写入速度。由于每一位独立地从FIFO中取得数据,所以每一位在进行RESET或SET操作时,不会如传统并行写入方式那样受其他位是否进行SET影响,由此减少了RESET操作之后的等待时间。 | ||
申请公布号 | CN101783172B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN200910200724.X | 申请日期 | 2009.12.24 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 丁晟;宋志棠 |
分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟;尹丽云 |
主权项 | 一种相变存储器,其特征在于,所述相变存储器包括数条存储翼plane;所述存储翼plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO,每个存储块block对应一个FIFO;其中,n为相变存储器并行读写位数;所述存储翼plane与存储翼plane之间依靠数据总线、地址总线和控制总线连接;所述存储块block包括存储阵列、行列译码器及驱动电路。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |