半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置通过使用SOI衬底而制造，并且防止起因于设置为岛状的硅层的端部的缺陷且提高可靠性。该半导体装置具有如下结构：包括在支撑衬底上依次层合有绝缘层及岛状硅层的SOI衬底、设置在岛状硅层的一个表面上及侧面的栅绝缘层、以及中间夹着栅绝缘层而设置在岛状硅层上的栅电极。此时，对栅绝缘层来说，跟接触于岛状硅层的一个表面上的区域相比，接触于岛状硅层的侧面的区域的介电常数小。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上的岛状单晶半导体层；栅绝缘层，其包括：接触于所述岛状单晶半导体层的顶面的第一绝缘层；以及接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的第二绝缘层，在所述栅绝缘层上的栅电极，其中该栅电极被设置以横穿所述岛状单晶半导体层，其中，所述第二绝缘层的介电常数小于所述第一绝缘层的介电常数，以及其中所述第二绝缘层的表面相对于所述岛状单晶半导体层的侧面凸形弯曲。