发明名称 偏压发生器及产生用于半导体存储器件的偏压的方法
摘要 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流,其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压,以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
申请公布号 CN101246734B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200710303563.8 申请日期 2007.12.28
申请人 三星电子株式会社 发明人 金惠珍;李光振;赵佑荣;朴茂熙
分类号 G11C5/14(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G05F1/10(2006.01)I 主分类号 G11C5/14(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邵亚丽
主权项 一种偏压发生器,该偏压发生器响应于所施加的输入电压产生偏压以控制提供给存储单元的读出电流,其中该偏压相对于该输入电压的斜率对于区别不同电压电平的输入电压的至少两个部分是不同的,并且相对于第一电平区别该至少两个部分,其中在第一部分中的偏压的斜率低于在第二部分中的偏压的斜率,在第一部分中的输入电压的电平小于该第一电平,而在第二部分中的输入电压的电平大于或等于该第一电平,该偏压发生器包含:检测单元,该检测单元提供输出,其中该输出在第一部分中是在不增加或减少的情况下的输入电压,并且该输出在第二部分中是被箝位至输入电压或近似于该第一电平的电平的输入电压;以及放大单元,该放大单元通过放大该检测单元的输出而输出该偏压。
地址 韩国京畿道