发明名称 |
通过单体真空沉积和聚合获得的静电荷耗散材料 |
摘要 |
本发明涉及制备静电荷耗散材料的方法,所述方法包括以下步骤:(a)任选地在等离子场中预处理基底;(b)将至少一种单体和至少一种吸湿添加剂闪蒸到真空室中以产生蒸气;(c)冷凝所述基底上的所述蒸气,从而在所述基底上生成由所述单体和所述吸湿添加剂涂层构成的膜;以及(d)固化所述膜的所述单体,从而在所述基底上生成包含吸湿添加剂的聚合物层;其中所述冷凝步骤是在将所述聚合物层限制为约3.0μm的最大厚度的蒸气密度和停留时间条件下进行的。所述静电荷耗散材料可用于保护静电敏感电子元件。 |
申请公布号 |
CN102549210A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201080043466.X |
申请日期 |
2010.09.17 |
申请人 |
纳幕尔杜邦公司 |
发明人 |
B·比斯比斯;I·V·布莱特索斯;N·S·布拉布斯 |
分类号 |
D06M10/02(2006.01)I;D06M10/08(2006.01)I;D06M13/256(2006.01)I;D06M15/263(2006.01)I;D06M15/21(2006.01)I;A41D13/008(2006.01)I;A41D31/00(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;C08J7/18(2006.01)I;D21H19/16(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
D06M10/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王伦伟;李炳爱 |
主权项 |
一种制备静电荷耗散材料的方法,包括以下步骤:(a)任选地在等离子场中预处理基底;(b)将至少一种单体和至少一种吸湿添加剂闪蒸到真空室中以产生蒸气;(c)在所述基底上冷凝所述蒸气,从而在所述基底上生成由所述单体和所述吸湿添加剂涂层构成的膜;以及(d)固化所述膜的所述单体,从而在所述基底上生成包含吸湿添加剂的聚合物层;其中所述冷凝步骤是在将所述聚合物层限制为约3.0μm的最大厚度的蒸气密度和停留时间条件下进行的。 |
地址 |
美国特拉华州 |