| 发明名称 | 非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于太阳能电池的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法及该方法制备的非晶硅薄膜中间带材料，所述包括以下步骤：选择衬底的材料并对衬底进行预处理；在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜；对生长完成的非晶硅薄膜进行退火。本发明利用磁控溅射设备，化学气相沉积设备等薄膜生长设备，在晶硅、石英、玻璃、不锈钢等很多可以生长薄膜的衬底上，通过对生长条件的控制，实现杂质在非晶硅中的高浓度均匀掺杂，从而形成良好的非晶硅薄膜中间带材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102544243A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210088816.5 | 申请日期 | 2012.03.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 曹权;周天微;左玉华;王启明 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选择衬底的材料并对衬底进行预处理；在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜；对生长完成的非晶硅薄膜进行退火。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||