发明名称 |
测试非易失性存储设备的方法 |
摘要 |
公开了一种测试晶片上非易失性存储设备的方法。所述方法包括关于非易失性存储设备中的每一个存储单元执行擦除操作及第一确认操作,将页缓冲器中用于存储根据所述第一确认操作的结果的第一锁存器的数据存储在第二锁存器中,将第一锁存器的数据设置为指示所述确认通过的数据,以及关于每一存储单元执行软程序及执行第二确认操作。 |
申请公布号 |
CN101533673B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN200810176503.9 |
申请日期 |
2008.11.07 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
车载元;金德柱 |
分类号 |
G11C16/14(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
杨林森;康建峰 |
主权项 |
一种测试非易失性存储设备的方法,所述方法包括:对所述设备的存储单元阵列中的所有存储单元执行擦除操作;对所有存储单元执行第一确认操作;将页缓冲器中的用于存储根据所述第一确认操作的结果的第一锁存器的数据存储在第二锁存器中,并将所述第一锁存器的数据设定为指示确认操作通过的数据;以及关于每一存储单元执行软程序及第二确认操作,其中所述设定步骤被配置为使得对被提供给第二锁存器的数据进行反转,且将反转数据传送至相应页缓冲器的感测节点,以便将第一锁存器的数据转换成指示确认操作通过的数据,所述第一锁存器的数据根据所述感测节点的电压电平被转换。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |