Halbleitervorrichtung mit Diode

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine Kathode (C) und eine Anode (A). Die Anode (A) umfasst ein erstes p-Typ Halbleiteranodengebiet (204) und ein zweites p-Typ Halbleiteranodengebiet (206). Das erste p-Typ Halbleiteranodengebiet (204) ist mit einer Anodenkontaktfläche (218) elektrisch verbunden. Das zweite p-Typ Halbleiteranodengebiet (206) ist mit der Anodenkontaktfläche (218) über einen Schalter (S) elektrisch gekoppelt, wobei der Schalter (S) geeignet ist, eine elektrische Verbindung oder eine elektrische Trennung zwischen dem zweiten p-Typ Anodengebiet (206) und der Anodenkontaktfläche (218) herzustellen.