| 发明名称 | 半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εrAPP，且绝缘性也优越的SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN101687663B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN200880021669.1 | 申请日期 | 2008.06.13 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 川本光俊 |
| 分类号 | H01B3/12(2006.01)I;C01G23/00(2006.01)I;C04B35/46(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | H01B3/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种半导体陶瓷粉末，其为SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末，其特征在于，施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||