| 发明名称 | 制作立体神经微电极的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上述步骤得到的结构，采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理，得到微电极阵列，该微电极阵列包括多个电极，该电极的尾端相连接；步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层，并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。 | ||
| 申请公布号 | CN102512151A | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201110409793.9 | 申请日期 | 2011.12.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 裴为华;赵辉;王宇;陈三元;汤戎昱;陈远方;陈弘达 |
| 分类号 | A61B5/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | A61B5/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上述步骤得到的结构，采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理，得到微电极阵列，该微电极阵列包括多个电极，该电极的尾端相连接；步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层，并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||