| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 具有保存存储数据的保存电路、和输出对应保存在保存电路中数据的信号的读出专用输出电路的多个存储单元的半导体记忆装置，上述读出专用输出电路，具有对应于保存在保存电路中的信号被控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。还有，上述读出专用输出电路，具有由读出字选择电路控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。 | ||
| 申请公布号 | CN101206918B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN200710199397.1 | 申请日期 | 2007.12.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 石仓聪;车田希总;奥山博昭;山上由展;寺野登志夫 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括：具有保存存储数据的保存电路、和输出对应保存在保存电路中数据的信号的读出专用输出电路的多个存储单元，其特征在于：上述读出专用输出电路，具有受保存在保存电路中的信号控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||