发明名称 一种扩散电阻的仿真方法及系统
摘要 本发明公开了一种扩散电阻的仿真方法及系统,方法中,确定扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数;并且,,确定扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数;根据扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数,以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数建立扩散电阻的仿真模型;根据所述仿真模型进行扩散电阻的仿真。
申请公布号 CN102521466A 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN201110448637.3 申请日期 2011.12.28
申请人 上海新进半导体制造有限公司 发明人 张磊兢;胡林辉
分类号 G06F17/50(2006.01)I;G01R27/14(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明;王宝筠
主权项 一种扩散电阻的仿真方法,其特征在于,包括:将扩散电阻的第一端接预设第一电压,第二端接地,对第三端进行电压扫描,扫描电压取值为0至预设第二电压;测量对第三端进行电压扫描的过程中扩散电阻的电流;根据对第三端进行电压扫描过程中扩散电阻第三端的扫描电压和测量得到的电流,确定扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数;将扩散电阻的第三端接地,第一端和第二端中的一端接地,对另一端进行电压扫描,扫描电压取值为0至预设第三电压;测量对所述另一端进行电压扫描的过程中扩散电阻的电流;根据对所述另一端进行电压扫描的过程中所述另一端的扫描电压和测量得到的电流、以及所述一阶电压系数和二阶电压系数,确定扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数;根据扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数,以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数建立扩散电阻的仿真模型;根据所述仿真模型进行扩散电阻的仿真。
地址 200241 上海市徐汇区宜山路800号