含低分子溶解促进剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。

主权项

1.一种在制造半导体器件的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、具有至少2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)，所述碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，所述多核酚(b)是式(b1-1)所示的化合物、式(b1-2)所示的化合物、式(b1-3)所示的化合物或这些化合物的组合，式(b1-1)式中，R₁分别是苯环的氢原子的取代基，表示选自羟基、卤素原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～18的芳基、碳原子数6～25的芳基烷基、碳原子数2～10的烷基羰基、碳原子数2～10的烷基羰基氧基、碳原子数2～10的烷基羰基氨基、碳原子数2～10的芳基氧基烷基、碳原子数1～6的烷氧基和它们的组合中的基团，R₃表示单键，或者2～4价的碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～25的芳基亚烷基，m是1～5的整数，n表示0≤n≤5-m的整数，q表示2～4的整数，式(b1-2)式中，R₁与R₂相同或不同，分别表示与所述式(b1-1)中的R₁相同的意义，R₄表示单键，或者2～6价的碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～25的芳基亚烷基，m表示1～5的整数，n表示0≤n≤5-m的整数，k和s分别表示1～3的整数，式中，R₁和R₂相同或不同，分别具有与式(b1-1)中的R₁相同的意义，R₅表示单键，或者2价的碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～25的芳基亚烷基，m1表示1～4的整数，m2表示1～5的整数，o为0≤o≤4-m1，p为0≤p≤5-m2，t表示1～4的整数。