Verfahren zum Herstellen eines Stöpsels in einem Halbleiterkörper

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren zum Herstellen einer Elektrode in einer Halbleiterschicht, das aufweist: Bereitstellen eines Substrats (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102); Herstellen eines ersten Grabens (103), der Seitenwände aufweist und der sich von der ersten Oberfläche (101) in das Substrat (100) erstreckt; Herstellen eines Stöpsels (20) in dem ersten Graben (103); Reduzieren einer Dicke des Halbleitersubstrats (100) durch Entfernen von Halbleitermaterial ausgehend von der ersten Oberfläche (101), um Seitenwände des Stöpsels (20) wenigstens teilweise freizulegen; Herstellen einer Halbleiterschicht (120) auf dem Substrat, wobei die Halbleiterschicht (120) unbedeckte Seitenwände des Stöpsels (20) wenigstens teilweise bedeckt.