发明名称 Halbleiterleistungsmodul
摘要 <p>Aufgrund der Umweltprobleme ist die Verwendung von bleifreiem Lötmetall grundlegend geworden. Ein Leistungsmodul wird durch Löten von Substraten mit großen Flächen ausgebildet. Es ist bekannt, dass bei Sn-3Ag-0,5Cu, das kaum kriecht und sich in Bezug auf eine große Verformung, gefolgt von einer Wölbung des Substrats, verformt, die Lebensdauer bezüglich des Temperaturzyklustests beträchtlich verkürzt ist und der konventionelle Modulaufbau sich in der Situation befindet, in der es schwierig ist, eine hohe Zuverlässigkeit zu sichern. Somit ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Zusammensetzungen auszuwählen, aus der eine Erhöhung der Lebensdauer bei geringer Umformgeschwindigkeit erwartet werden kann. Bei Sn-Lötmetall wird durch Dotieren mit 3 bis 7% In und mit 2 bis 4,5% Ag die Wirkung einer verzögerten Rissbildung bei niedriger Umformgeschwindigkeit festgestellt und als repräsentative Zusammensetzung, die bei hohen Temperaturen stabil ist, wird Sn-3Ag-0,5Cu-5In ausgewählt. Weiterhin ist zur Verbesserung der Stabilität ein Verfahren zum teilweisen Beschichten eines Lötmetallendabschnitts mit einem Harz gezeigt.</p>
申请公布号 DE102007063793(A1) 申请公布日期 2012.06.21
申请号 DE20071063793 申请日期 2007.04.25
申请人 HITACHI, LTD. 发明人 SHIMOKAWA, HANAE;SOGA, TASAO;KAWASE, DAISUKE;SAITO, KATSUAKI;SUZUKI, KAZUHIRO;MORISAKI, EIICHI
分类号 H01L21/58;H01L23/373 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项
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