发明名称 Dünnschicht-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
摘要 Eine Dünnschicht-Solarzelle und ein Verfahren zu deren Herstellung werden diskutiert. Die Dünnschicht-Solarzelle umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die auf dem Substrat positioniert sind, sowie eine zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode positionierte erste photoelektrische Wandlereinheit. Die erste photoelektrische Wandlereinheit umfasst eine intrinsische Schicht zur Lichtabsorption, die mikrokristallines Silizium-Germanium enthält, eine dotierte p-Schicht und eine dotierte n-Schicht, die jeweils auf bzw. unter der intrinsischen Schicht positioniert sind, sowie eine kein Germanium enthaltende Saatschicht, die zwischen der dotierten p-Schicht und der intrinsischen Schicht positioniert ist.
申请公布号 DE102011109847(A1) 申请公布日期 2012.06.21
申请号 DE201110109847 申请日期 2011.08.09
申请人 LG ELECTRONICS INC. 发明人 KIM, SOOHYUN;LEE, BYUNGKEE;KIM, WOOYOUNG;AHN, SEHWON;LEE, HONGCHEOL
分类号 H01L31/075;H01L31/0392;H01L31/06;H01L31/18 主分类号 H01L31/075
代理机构 代理人
主权项
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