制造具有盖层和凹进栅极的氮化物基晶体管的方法

摘要

在形成栅极接触例如肖特基接触之前对栅极凹进退火可以减小半导体器件例如晶体管中的栅极泄漏和/或提供高质量的栅极接触。在退火期间使用封装层可以进一步减小对于晶体管的栅极凹进中的半导体的损伤。例如可以通过退火器件的欧姆接触来提供该退火。因此，可以提供具有降低的栅极区的退化的高质量的栅极和欧姆接触，其可能是由于提供凹进的栅极结构因形成凹进过程中的刻蚀损伤导致的。E

主权项

一种制作高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法，包括：形成沟道层；在沟道层上形成阻挡层；在阻挡层上形成盖层；在盖层中在要形成栅极凹进的位置的相对的两侧形成欧姆接触凹进；在欧姆接触凹进中形成欧姆接触材料图案；在欧姆接触材料图案之间的盖层中形成延伸到阻挡层的栅极凹进；在盖层上和在栅极凹进中形成封装层；退火阻挡层、沟道层、欧姆接触材料图案和具有栅极凹进的盖层；然后在退火的栅极凹进中形成栅极接触，其中形成封装层包括在盖层、欧姆接触材料图案上和在栅极凹进中形成封装层，以及其中在退火步骤之后并且在形成栅极接触的步骤之前去除封装层。