发明名称 | 一种纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源 | ||
摘要 | 本发明公开了一种纳米材料-介质-纳米材料(NIN)结构的电子发射源,其是在有机或无机材质的基板1上设置电子发射源,即依次设有纳米材料电子发射层2、介质传导层3、纳米材料电子透射层4。此电子发射源不仅工艺简单,电子发射效率高,而且电子发射均匀,稳定、可靠,具有调制电压低的特点。 | ||
申请公布号 | CN102509679A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
申请号 | CN201110348994.2 | 申请日期 | 2011.11.08 |
申请人 | 福州大学 | 发明人 | 郭太良;叶芸;王灵婕;林志贤;张永爱;胡利勤 |
分类号 | H01J1/304(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
主权项 | 一种纳米材料‑介质‑纳米材料结构的电子发射源,其特征在于:在有机或无机材质的基板上设置有能产生隧穿效应的电子源;所述的电子源由电子发射层,介质传导层和电子透射层构成;所述电子发射层平铺在基板表面,介质传导层平铺在电子发射层表面,电子透射层连续或非连续平铺在介质传导层表面。 | ||
地址 | 350001 福建省福州市鼓楼区工业路523号 |