摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung einer einseitig glattgeätzten Siliziumsolarzelle, bei welchem eine Vorderseite und eine Rückseite eines Siliziumsubstrats glattgeätzt werden (10), nachfolgend eine dielektrische Beschichtung auf der Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet wird (14, 16) und nachfolgend die Vorderseite des Siliziumsubstrats mittels eines Texturätzmediums texturiert wird (20), wobei die auf der Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildete dielektrische Beschichtung als Ätzmaskierung gegenüber dem Texturätzmedium verwendet wird.</p> |