发明名称 一种Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜的电化学制备工艺
摘要 本发明涉及一种Cu2ZnSnS4薄膜的电化学制备工艺,是一种分步电化学沉积叠层制备工艺。具体过程包括:以钠钙玻璃为基底,首先在基底上采用射频(RF)磁控溅射方法溅射钼(Mo)金属作为前驱体,然后采用电化学体系分步层叠沉积Cu、Sn、Zn,制备铜锌锡(CZT)膜作为预制膜,最后将金属预制膜CZT放入石英炉内硫化及退火处理,得到Cu2ZnSnS4吸收层薄膜。该吸收层薄膜为直接带隙材料,其禁带宽度为1.5eV,是单结太阳能电池的最优带隙,光吸收系数>104cm-1。
申请公布号 CN102492972A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110409520.4 申请日期 2011.12.12
申请人 云南师范大学 发明人 杨培志;自兴发
分类号 C25D9/04(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C8/62(2006.01)I 主分类号 C25D9/04(2006.01)I
代理机构 昆明慧翔专利事务所 53112 代理人 程韵波;周一康
主权项 一种Cu2ZnSnS4薄膜的电化学制备工艺,其特征在于:采用射频磁控溅射方法,先在钠钙玻璃基底上溅射钼金属层,然后采用电化学体系分步在钼属层上依次层叠沉积Cu、Sn、Zn,得到铜锌锡膜,最后将铜锌锡膜进行硫化及退火处理,得到Cu2ZnSnS4吸收层薄膜,所述的工艺按以下步骤实施,(1)将尺寸为10mm×10mm的钠钙玻璃基底依次采用洗涤剂、蒸馏水、异丙酮及乙醇进行超声清洗10分钟,后用流量为0.1m3/h的氮气干燥5分钟;(2)用聚四氟乙烯掩膜钠钙玻璃基底边缘,在基底上采用射频磁控溅射沉积1μm厚的钼层前驱体;(3)用去离水和纯度为99.99wt%的金属盐分别配制A、B、C三种电解液,A电解液为含1.5摩尔氢氧化钠、50毫摩尔氯化铜和0.1摩尔山梨醇的碱性溶液;B电解液为含0.15摩尔氯化锌,并经氢离子缓冲pH值为3的溶液;C电解液为含2.25摩尔氢氧化钠,55毫摩尔氯化锡和0.1摩尔山梨醇的碱性溶液;(4)采用工作电极、对电极和参比电极三电极电化学体系,以制备好的钼层前驱体作为工作电极、铂金片作为对电极、Ag|AgCl作为参比电极,分步依次在三种配制好的电解液A、B、C中沉积Cu、Zn、Sn层,沉积过程采用20稳压器恒电位方式,在室温下无搅拌进行,每一种金属的沉积量通过监测沉积电荷量来控制,第一步:以钼层前驱体作为工作电极,在电镀液A中沉积Cu层,Cu沉积的化学电势为‑1.14V,时间为50‑60min;第二步:在电解液B中沉积Zn层,Zn沉积的化学电势为‑1.20V,时间45‑50min;第三步:在电解液C中沉积Sn层,Sn沉积的化学电势为‑1.21V,时间40‑50min;(5)用去离子水清洗沉积金属预制膜,并用流量为0.1m3/h的氮气干燥30分钟;(6)将金属预制膜CZT放入石墨容器内,并放入纯度为99.999wt%的固态硫源,然后放入石英炉管内,在3×10‑3Pa的真空状态下加热至100℃除去表面的水迹;(7)往石英炉内充入1巴压强的氩气,以40℃.min‑1的速度梯度将金属预制膜CZT加热至550℃,并维持550℃炉温2小时;(8)用流量为0.1m3/h的氮气清冼炉管30分钟,取出金属预制膜样品然冷却至室温,得到2μm厚的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜成品。
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