发明名称 |
半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法,包括:提供具有负微分漂移速度效应的半导体纳米器件,将电压<img file="201110431424x100004dest_path_image001.GIF" wi="22" he="25" />的直流电场作用于半导体纳米器件,使得半导体纳米器件产生电流振荡并进入周期性的自振荡状态,自振荡频率为<img file="160275dest_path_image002.GIF" wi="20" he="25" />;对半导体纳米器件再叠加作为激励的交流信号<img file="201110431424x100004dest_path_image003.GIF" wi="101" he="28" />的交流电场;在稳定状态下,利用第一返回图中数据点的分布状况而识别出半导体非线性振荡系统中电流信号的运动状态;第一返回图是通过刻画电流密度<i>J</i><sub>m+1</sub>作为<i>J</i><sub>m</sub>的函数来获得的,其中<i>J</i><sub>m</sub>是系统在<i>mT</i><sub>ac</sub>时刻的电流密度采样值<i>J</i>(<i>mT</i><sub>ac</sub>),<i>T</i><sub>ac</sub>是外加交流信号的周期,<i>T</i><sub>ac</sub>=1/<i>f</i><sub>ac</sub>。相较于现有技术,本发明具有操作简单、识别简便且准确的优点。 |
申请公布号 |
CN102495321A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110431424.X |
申请日期 |
2011.12.21 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
王长;曹俊诚 |
分类号 |
G01R31/00(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法,其特征在于,包括:步骤一,提供具有负微分漂移速度效应的半导体纳米器件,将电压Vdc的直流电场作用于所述半导体纳米器件,使得所述半导体纳米器件构成半导体非线性振荡系统并产生电流振荡并进入周期性的自振荡状态,其中,自振荡频率为f0;步骤二,对进入自振荡状态的所述半导体纳米器件再叠加作为激励的交流信号Vacsin(2πfact)的交流电场;步骤三,在稳定状态下,利用第一返回图中数据点的分布状况而识别出所述半导体非线性振荡系统中电流信号的运动状态;所述第一返回图是通过刻画电流密度Jm+1作为Jm的函数来获得的,其中Jm是系统在mTac时刻的电流密度采样值J(mTac),Tac是外加交流信号的周期,Tac=1/fac。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |