发明名称 |
半导体组件及电致发光组件及其制作方法 |
摘要 |
一种半导体组件,设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极,以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上,以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。 |
申请公布号 |
CN102496621A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110424194.4 |
申请日期 |
2011.12.16 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨朝舜;谢信弘 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭蔚 |
主权项 |
一种半导体组件,设置于一基板上,该基板包括一第一区域与一第二区域,该半导体组件包括:一第一信道层,位于该第一区域的该基板上;一图案化掺杂层,包括一掺杂栅极以及两个接触电极,该掺杂栅极位于该第二区域的该基板上,该等接触电极分别连接该第一通道层的两侧;一栅极介电层,覆盖该第一信道层与该图案化掺杂层;一导电栅极,位于该第一区域的该栅极介电层上;一第二信道层,位于该第二区域的该栅极介电层上;一第一电极与一第二电极,分别与各该接触电极电性连接;以及一第三电极与一第四电极,分别电性连接该第二通道层的两侧。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |