发明名称 用于等离子体工艺系统中的改进的挡板的方法和装置
摘要 本发明提出了用于等离子体工艺系统的一种改进的挡板,其中挡板的设计和制作在工艺空间内方便地提供了一个均匀的工艺等离子体,以及基本上最小地腐蚀挡板。
申请公布号 CN1682339B 申请公布日期 2012.06.06
申请号 CN03822079.2 申请日期 2003.09.29
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 三枝秀仁;高濑均;三桥康至;中山博之
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种在等离子体工艺系统中的改进的挡板,包括:一个曲线环,包括一个上表面,一个下表面,一个耦合到所述上表面和所述下表面的内径向边缘,一个耦合到所述上表面和所述下表面的外径向边缘,以及耦合到所述上表面和所述下表面的至少一个通路,所述至少一个通路被配置为允许气流通过,其中所述上表面包括与外径向边缘接近的第一配合表面,所述下表面包括与所述外径向边缘接近的第二配合表面,所述内径向边缘包括一个内边缘表面,以及所述至少一个通路中的每一个包括一个内部通路表面,其中所述上表面和所述下表面以一个角度倾斜,其中所述曲线环进一步包括耦合到所述挡板的所述上表面和所述下表面且被配置为接受紧固设备以便将所述挡板耦合到所述等离子体工艺系统的多个紧固接受器和多个安装通孔,所述曲线环的所述上表面包括一凹陷,所述凹陷沿径向位于所述多个紧固接受器和所述至少一个通路之间,并且所述凹陷至少沿曲线环的周边的一部分具有部分深度;以及一层保护阻挡层,耦合到所述挡板的多个暴露表面,其中所述暴露表面包括:除所述第一配合表面外的所述上表面、除所述第二配合表面外的所述下表面、所述内径向边缘的所述内边缘表面、以及每一个所述至少一个通路的所述内通路表面,所述保护阻挡层仅部分地在所述凹陷之内。
地址 日本东京